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Si4636DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
0.1
0.01
150 °C
25 °C
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
0.000
I D = 10 A
125 °C
25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0.1
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
30 V
200
160
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.01
0.001
0.0001
0.00001
20 V
120
8 0
40
0
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Reverse Current (Schottky)
100
L imited             by R DS(on) *
10
1 ms
Time (s)
Junction-to-Ambient
1
10 ms
100 ms
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single P u lse
1s
10 s
DC
www.vishay.com
4
0.1
* V GS
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 74961
S09-0394-Rev. C, 09-Mar-09
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